内存时序高好还是低好

内存时序低好。
内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的参数，通常由一组用破折号分隔的数字表示，例如 16-18-18-36 等。这些数字分别代表不同的延迟时间，具体包括 CL（列地址访问的延迟时间）、tRCD（内存行地址传输到列地址的延迟时间）、tRP（内存行地址选通脉冲预充电时间）和 tRAS（行地址激活的时间）等。较低的时序数值意味着内存模块能够更快地响应处理器的读写请求，从而提升计算机的整体性能。
然而，实际性能差异可能会受到多种因素的影响，包括处理器、主板和内存控制器等。在一些情况下，高频率的内存即使时序较高，也可能由于其更快的数据传输速率而提供较好的性能。
对于普通用户来说，内存时序对日常使用的影响可能并不明显，因为大多数现代处理器和内存控制器都内置了优化算法，可以在一定程度上弥补时序上的差异。在选择内存时，可先关注容量，再考虑频率，最后对比时序。如果内存容量和频率都相同，那么时序自然是越低越好。
例如，CL 值为 16 的内存比 CL 值为 22 的内存具有更低的延迟，在理论上能提供更快的性能。但如果一条内存的频率较高但时序也较高，而另一条内存频率稍低但时序很低，它们的实际性能可能就需要通过具体测试来比较了。
同时，较低的内存时序通常需要更高的电压供应，这会增加内存模块的能耗和散热压力。特别是在超频或高负载情况下，较低的内存时序可能会导致内存温度过高，进而影响计算机的稳定性。
总之，选择合适的内存时序需要综合考虑多个因素，包括预算、性能需求、稳定性和个人喜好等。只有在实际应用场景中找到最适合自己的内存时序，才能充分发挥计算机的性能优势。