可以从以下几个方面区分 DDR3 和 DDR4 内存条：

外观方面

• 引脚数量与间距：DDR3 内存条通常为 240 针脚，而 DDR4 内存条则采用 288 针脚 。并且，DDR4 内存的引脚间距更小，为 0.85mm，DDR3 的引脚间距为 1mm.
• 金手指形状：DDR3 内存的金手指是平直的，而 DDR4 内存的金手指呈弯曲状.
• 缺口位置：DDR4 内存条的缺口位于内存条中央，而 DDR3 内存条的缺口位于靠近一端的边缘.
• 长度、高度与厚度：DDR4 内存条通常比 DDR3 内存条更长，高度方面，DDR4 模块高度为 31.25mm，高于 DDR3 的 30.35mm；厚度上，DDR4 为 1.2mm，比 DDR3 的 1mm 更厚.

性能参数方面

• 频率和传输速度：DDR3 内存的常见频率为 800MHz - 2133MHz，传输速率为 0.80 - 2.13 GT/s ；而 DDR4 内存的起始频率为 2133MHz，常见频率范围为 2133MHz - 3200MHz，传输速率为 2.13 - 4.26 GT/s，其频率和传输速度都明显高于 DDR3 内存.
• 延迟：虽然 DDR4 内存频率更高，但它的延迟（CAS 延迟）通常比 DDR3 更低，低延迟有助于提高内存的响应速度，对于高性能计算尤为重要.
• 容量：DDR3 内存单条最大容量一般为 16GB，而 DDR4 内存支持更高的单模块容量，单条容量最大可以达到 128GB.
• 电压与功耗：DDR3 内存的标准工作电压为 1.5V，高性能版为 1.65V，低电压版为 1.35V；而 DDR4 内存的标准工作电压为 1.2V，高性能版为 1.35V，低电压版为 1.05V 。在相同的频率下，DDR4 内存的功耗更低，更节能.

技术特点方面

• 传输机制：DDR4 引入了 differential signaling（差分信号技术），而 DDR3 主要使用传统的 single-ended signaling 信号.
• 访问机制：DDR3 的数据读取访问机制是双向传输，而 DDR4 则改为了点对点技术.
• 封装技术：DDR4 内存采用 3ds 封装技术，可以增大单颗芯片的容量，使用该技术后，单条内存的容量最大可达目前产品的 8 倍之多.